SS805基极电流设置上限问题
SS805基极电流设置上限问题[复制链接]
考虑线路板空间,尽可能省件,也考虑到单片机IO口输出电流最大在10ma左右,就将三极管基极电阻省掉。
后来因继电器误用24v的,测到基极电流达30ma,有点担心三极管出问题,查8050的手册也没看到关于基极电流的上限。
30ma的基极电流,三极管远远能工作在饱和状态了,测试也没问题,担心长时间工作会出问题,特来请教大家。
1、ss8050的基极或者其他三极管的基极电流有无最大上限值?2、测试IO口输出后,测试基极电位0.8v左右,我认为是IO口的输出阻抗太大,导致基极分压太小,看单片机手册也没找到输出阻抗,求大家确认。
不会插附件,8050的手册大家可以查一下,放大倍数120--400此帖出自电路观察室论坛|||晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到,只是恐怕需要很详细的版本。
不过一般情况下无所谓,因为在集电极电流达到准许的极限时,此时对应的基极电流离其极限还有不小的余量。
所以在设计时,只要遵循目标电流对应的基极驱动电流数值,再适当留点余量就可以了,不必考虑基极极限电流,但基极限流电阻是必须的。
|||关于IO直连基极问题,这显然不准许。
没有基极限流电阻,IO将与晶体管展开一场电平竞争,容易导致基极电流过载或IO输出过载,对可靠性很不利。
MCU的输出阻抗一般手册里不会载明,因为跟制造环节甚至温度等都有关,而且数字电路必须保证逻辑电平,没有正确的逻辑电平就失去了数字电路的意义,所以手册中会给出输出在有效逻辑门限下的最大灌电流及拉电流,而IO能承受的极限显然更大,MCU在设计时也会留有余量。
|||总的来说,按规范设计晶体管电路时,已经无需获知晶体管的极限基极电流参数。
类似的,按规范设计MCU应用电路时,也已经无需获知IO的输出阻抗参数。
二者在规范设计的约束下,均已距极限有不小的余量,所以一般手册中无需载明。
当然,如果电路可能受某种因素影响造成过载,那就需要做保护,但那同样无需一定知道这两个参数,做保护电路时门限别留的太离谱就足够保证可靠性了。
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chunyang2021-3-417:18晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到,只是恐怕需要很详细的版本。感谢chunyang老师指导。不过一般情况下无所谓,因为在集...
按照最大参数考量:集电极最大1500ma,β取最小120,基极电流计算12.5ma,假设取余量到20ma,现在测试基极电流测试达到了30ma,所以有些担心可靠性。
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chunyang2021-3-417:18晶体管的最大基极电流极限应该能在手册中查到,只是恐怕需要很详细的版本。感谢chunyang老师指导。不过一般情况下无所谓,因为在集...
按照最大参数考量:集电极最大1500ma,β取最小120,基极电流计算12.5ma,假设取余量到20ma,现在测试基极电流测试达到了30ma,所以有些担心可靠性。
|||注意2楼chunyang所说:“基极限流电阻是必须的”。
建议你在三极管基极加上限流电阻。
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tongshaoqiang2021-3-418:10感谢chunyang老师指导。这个无需担心基极电流极限问题,倒是该担心IO了。按照最大参数考量:集电极最大1500ma,β取最小120,基极电流计算12.5ma...
按集电极极限电流1500mA计,直流放大系数就按100算吧,对应基极电流15mA,30mA只大了一倍,应远小于极限。
5楼maychang给出了详细版手册中的基极电流极限,DC即直流,一直都有,那极限是300mA,而短时突发值甚至为1A,可见我前面所言不虚吧。
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maychang2021-3-418:15注意2楼chunyang所说:“基极限流电阻是必须的”。收到。建议你在三极管基极加上限流电阻。
感谢maychang老师指导。
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maychang2021-3-418:09感谢maychang老师。
我手头这份手册参数没你提供的这么细。
表示感谢。
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chunyang2021-3-417:27关于IO直连基极问题,这显然不准许。IO口与基极间无论是否串联电阻(2K),基极电压总是0.8v左右,就是BE结压降,我想确认是否是IO口内阻太大的缘故。没有基极限流电阻,IO将与晶体管展开一场电平竞争,容易导致基极电流过...
基极与地间增加了100k电阻,io输出高电平时,也没能将基极电压调高。
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chunyang2021-3-418:19这个无需担心基极电流极限问题,倒是该担心IO了。chunyang前辈,您说的极有道理!单片机厂家说io的输出驱动电流也就10ma,我实测30ma,可能也是你说的IO输出过载吧。按集电极极限电流1500mA计,直流放大系数就按100算吧,...
所以基极加限流电阻还是很有必要的。
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tongshaoqiang2021-3-418:35IO口与基极间无论是否串联电阻(2K),基极电压总是0.8v左右,就是BE结压降,我想确认是否是IO口内阻太大...发射结压降可以认为基本上就是个常数,IO内阻就是很小也改变不了这个现实。
IO内阻足够小,结果就是基极电流过大,直至晶体管烧毁。
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chunyang2021-3-418:40发射结压降可以认为基本上就是个常数,IO内阻就是很小也改变不了这个现实。再次感谢!|||IO内阻足够小,结果就是基极电...
tongshaoqiang2021-3-418:21感谢maychang老师。此说明书发布公司是PHILIPS,型号是PSS8050。我手头这份手册参数没你提供的这么细。
表示感谢。
各大公司发布的数据稍有差别。
|||设计这种电路,重要的是考虑单片机IO的驱动能力