1、功能范围：EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进 。

2、环境要求1、环境温度：15—40℃2、相对湿度：存放湿度不大于70%3、大气压力：86Kpa—106Kpa4、电网电压：AC220V±10%无严重谐波5、电网频率：50Hz±1Hz6、电源功率：20KW7、供电电网功率因数：＞0.98、气源要求：≥0.6Mpa9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。

3、主要技术指标：设备技术指标要求如下：1、（阻性/感性）开关测试单元• 漏极电压测试范围：5V-1500V，5V-100V，步进0.1V，              100V-1500V，步进1.0V；• 漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；• 栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；• 最大栅极电流：2A；• 最大脉冲电流：300A；• 电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，                  100V-1500V，步进1.0V。

• 脉冲宽度：1us-100us,步进0.1us• 时间测试精度：1ns；• 感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；• 阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻，以便使用时选择。

• 开通/关断时间ton/toff：5-10000ns• 开通/关断延迟td(on)/td(off）：5-10000ns• 上升/下降时间tr/tf：5-10000ns最小分辨率1ns• 开通/关断损耗Eon/Eoff：1-2000mJ最小分辨率1uJ2、栅极电荷单元• 驱动电流：0-2mA，分辨率0.01mA，2-20mA，分辨率0.1mA；20mA-200mA，分辨率1mA。

• 栅极电压：±30V，分辨率0.1V；• 恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A，25-300A，分辨率1A；• 漏极电压：5-100V，步进0.1V，100-1500V，步进1.0V。

• 栅极电荷Qg：1nC-100µC• 漏极电荷Qgs：1nC-100µC• 源极电荷Qgd：1nC-100µC• 阈值电荷Qgth：1nC-100µC 最小分辨率1nC• 平台电压Vgp：-30-0V,分辨率0.1V0-30V，分辨率0.1V3、反向恢复测试单元• 正向电流：1A-25A，分辨率0.1A，25A-300A，分辨率1A；• 反向电压：5v-100V，步进0.1V，100V-1500V，步进1.0v；• 反向恢复时间Trr：10ns-10000ns，最小分辨率1ns；• 反向恢复电荷Qrr：1nC-100µC，最小分辨率1nC；• 反向恢复电流Irm：1A-300A；• 反向恢复损耗Erec：1-2000mJ，最小分辨率1uJ；• 电流下降率dif/dt：50-10kA/us；• 电流恢复率dir/dt：50-5kA/us• dv/dt：50-10kV/us。

• Ta，Tb，SF(软度因子)4、反偏安全工作区RBSOA• 600A(2倍额定电流下，测试期间关断电压、电流)。

5、短路安全工作区SCSOA• 一次短路电流Isc：1A-1000A，分辨率1A；• 脉冲宽度5us-10us，步进0.1us。

6、结电容• 电容测试扫频范围：0.1MHz～1MHz；• 漏源极电压：200V，分辨率1V。

• Ciss、Coss、Cres7、栅极电阻• 栅极电阻范围： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；• 漏极偏置电压： 0～1500V；• 栅极偏置： ±20V。

8、雪崩耐量• 最大雪崩击穿电压≥2500V；• 雪崩电流：200A；• 感性负载：0.01mH～100mH连续可调，步进10μH；• 可测试单次雪崩、重复雪崩。

涨知识啊，太好了，可以学习学习了。