本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑 GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为 MOSFET,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。

它融和了这两种器件的优点,既具有 MOSFET 器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。

在中大功率的开关电源装置中,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或 GTO。

但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。

因而,在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外,对 IGBT 的保护设计也是电源设计€€时需要重点考虑的一个环节。

见附件资料。

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