关于场效应管做开关时发热的问题解决方法
关于场效应管做开关时发热的问题解决方法[复制链接] 
本帖最后由 小东工程师 于 2021-5-6 10:21 编辑 NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地，，此时如果场效应管发热。
分析原因：可能由于开关的频率太快，导致场效应管发热。
解决方法：将PWM波的占空比调大，这样将开关的频率减小，就可以解决场效应发热的问题。
目前这是我遇见这种问题时，解决的方法，也算一点点小心得。
此帖出自开关电源学习小组论坛|||这里应该是把频率增大，写错了，抱歉|||
小东工程师 发表于 2021-5-6 10:19这里应该是把频率增大，写错了，抱歉就是减小
|||“D(漏极)加12V电压，……，S（源极）接地”栅极上一旦加上电压，不就把电源短路了吗？|||『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地』建议仔细阅读该MOS管手册，看看幅度为5V的电压信号是否足够使MOS管充分导通。 |||『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极）接地』作为开关，MOS管必有负载。
你的负载是什么？接在哪里？|||降低频率＝减少单位时间内的开关次数，固然能减少发热，但这是没办法时的办法。
建议不妨再考虑下别的办法：1. 该型号的D-S间耐压100V，如只用到开关12V的话，可找低耐压管。
MOS管通常耐压低的ON电阻也小，于是管子上损耗的功率就会小。
2. 栅极驱动电压尽量取得高些，让管子尽量充分导通，方能使ON电阻变小。
3. 栅极加驱动电路，以减少OFF→ON和ON→OFF的过渡过程，也能抑制发热。
|||务必先确定发热原因，是驱动问题还是选型问题，然后再针对性的解决问题，PWM的频率应该以应用的具体需求来合理选择。
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maychang 发表于 2021-5-6 11:14『NCE0102Z场效应管做开关时，D(漏极)加12V电压，G（栅极）接入幅度为5V左右，频率为92khz的PWM波，S（源极 ...MOS管在2.7V电压时就导通了|||
chunyang 发表于 2021-5-6 13:45务必先确定发热原因，是驱动问题还是选型问题，然后再针对性的解决问题，PWM的频率应该以应用的具体需求来 ...因为做很多次实验，当调节pwm的占空比时，能明显得出场效应管发热，可能是由于开关的频率太快，没有完全导通时，又关断所以就导致其发热|||
仙猫 发表于 2021-5-6 11:04“D(漏极)加12V电压，……，S（源极）接地”栅极上一旦加上电压，不就把电源短 ...因为有保护电路，没有提及那一块，这里这是说了场效应管，电路总体情况没说明
|||小东工程师 发表于 2021-5-6 15:10MOS管在2.7V电压时就导通了『MOS管在2.7V电压时就导通了』这恐怕是你的误解。
估计在2.7V时 “开始导通”，而非 “充分导通”。
把NCE0102Z说明书贴出来看看。
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小东工程师 发表于 2021-5-6 15:10MOS管在2.7V电压时就导通了『MOS管在2.7V电压时就导通了』如果MOS管没有充分导通，发热是必然的。
这种情况下，减小占空比确实可以减少发热，但减小占空比并不是解决问题的办法。
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小东工程师 发表于 2021-5-6 15:14因为做很多次实验，当调节pwm的占空比时，能明显得出场效应管发热，可能是由于开关的频率太快，没有完全 ...这种情况说明你的驱动或/和管子的选型有问题。
|||mos管有时栅极驱动电阻太大，也会影响导通效率，可以适当减小这个电阻因这个NCE0102Z内阻典型值210毫欧，也有点大，可另中选一个内阻小的管子，做好散热也行就能解决改变开关的频率也能解决，发热严重的不一定是这个原因|||如果只是减小开关频率就能解决发热问题那就是说开关损耗得到减小，这确实是一个改善办法
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